【安全资讯】ASML与台积电推动12英寸光罩革新，应对高NA EUV光刻挑战

概要：

半导体光刻巨头ASML与晶圆代工龙头台积电近日联合发起一项行业倡议，旨在推动采用12英寸光罩，以克服下一代高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻技术在生产中面临的局限。该技术对于制造更小、更快、更节能的芯片至关重要，此举有望降低制造成本并提升生产效率。

主要内容：

ASML与台积电宣布合作，计划在2031年前建立12英寸光罩试验线，并力争在2033年前准备好支持先进制程量产的光刻系统。英特尔代工和三星电子也已表态支持。该倡议旨在解决高NA EUV光刻机因采用变形光学设计而导致的曝光场减半问题，该设计虽允许沿用现有6英寸光罩，但限制了大型芯片的制造。

ASML解释，高NA EUV技术采用非对称缩小倍率的光学系统，导致曝光场尺寸仅为前代机器的一半。对于尺寸超过该曝光场的大型芯片，需要拼接两个曝光图案，增加了复杂性和成本。转向12英寸光罩被视为恢复全尺寸曝光场、满足AI等应用对更复杂芯片需求的关键步骤。

台积电计划在2030年开始将高NA EUV用于先进制程的量产，并预计随着制程节点演进，所需层数将增加。三星则更为激进，计划于2028年率先将高NA EUV技术引入DRAM的大规模生产。英特尔代工也表示将支持向6x12英寸光罩的过渡。

IDC高级研究总监Andrew Buss指出，高NA EUV为未来产品带来了设计和制造挑战，虽然拼接和Chiplet设计可以缓解，但向12英寸光罩的迁移是必要步骤，其重要性堪比当年从200毫米晶圆转向300毫米晶圆。这一转型需要工具制造商、芯片制造商、光罩供应商和设计师的协同努力。